[发明专利]周边曝光装置

说明书

一种周边曝光装置，其用于对半导体基板(100)的外周部进行曝光，该周边曝光装置具有：光源(1)，其设置为能够对外周部照射光；以及反射镜(2)，其具有反射面(2A)，该反射面(2A)配置为沿与从光源(1)照射的光的光轴交叉的方向进行延伸。反射镜(2)设置为在对半导体基板(100)的外周部进行曝光时，在半导体基板(100)的径向上位于半导体基板(100)的中心(C)与外周部之间。

技术领域

本发明涉及一种用于对半导体基板的外周部进行曝光的周边曝光装置。

背景技术

在半导体设备的制造工序中，通常对半导体基板实施多次光刻工序。在光刻工序中，形成用于对半导体基板之上的特定部位进行蚀刻或进行离子注入的掩模图案。该掩模图案是采用例如抗蚀剂等感光性材料而形成的。

感光性材料通常通过旋转涂敷法而涂敷于半导体基板之上。关于旋转涂敷法，例如在旋转的半导体基板的中心之上滴下涂敷材料，通过离心力使涂敷材料进行涂敷展开。因此，在半导体基板的外周部也被涂敷了涂敷材料。此时，在半导体基板的外周部形成有斜面部(进行了倒角的倾斜部)的情况下，在斜面部之上也被涂敷了涂敷材料。

由如上述那样在外周部、斜面部之上形成的感光性材料构成的掩模图案在对半导体基板进行收容的盒内、半导体制造装置内由于接触等而被破坏，成为碎粒的产生源。

针对这样的问题，在日本特愿昭60-283613号(日本特开昭62-142321号公报)中，记载了针对在端部形成有由抗蚀剂堆成的部分的半导体基板而仅对该端部进行曝光的曝光装置。另外，在日本特愿平10-025183号(日本特开平11-214294号公报)中，记载了仅对SOI晶片等带有台阶的晶片的周边部进行曝光的周边曝光装置。

另外，针对通过对半导体基板的内周部进行薄化处理而在外周部形成有台阶部(在背面侧相对于内周部呈凸状的肋部)的带有台阶部的基板，将涂敷材料向该背面之上涂敷的情况下，在该台阶部之上也被涂敷了涂敷材料。即，在台阶部处，在位于内周侧的内周端面及凸台面(台阶部的顶面)之上也被涂敷了涂敷材料。

专利文献1：日本特愿昭60-283613号(日本特开昭62-142321号公报)

专利文献2：日本特愿平10-025183号(日本特开平11-214294号公报)

发明内容

然而，上述的现有技术难以应用于带有台阶部的基板。具体地说，由于无法对在台阶部的内周端面之上形成的感光性膜进行充分的曝光，因此存在无法通过显影而将该感光性膜充分地去除的问题。其结果，该感光性膜在之后的工序中成为碎粒产生源，存在对带有台阶部的基板自身、半导体制造装置等造成污染的问题。

本发明就是为了解决上述课题而提出的。本发明的主要目的在于，提供一种周边曝光装置，该周边曝光装置能够对形成有台阶部的半导体基板的该台阶部的内周端面，以可通过显影而将在该内周端面之上形成的感光性膜去除的程度充分地进行曝光。

本发明涉及的周边曝光装置用于对半导体基板的外周部进行曝光，该周边曝光装置具有：光源，其设置为能够对所述外周部照射光；以及反射镜，其具有反射面，该反射面形成为沿与从所述光源照射的所述光的光轴交叉的方向进行延伸。所述反射镜设置为在对所述半导体基板的所述外周部进行曝光时，在所述半导体基板的径向上位于所述半导体基板的中心与所述外周部之间。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种周边曝光装置，该周边曝光装置能够对形成有台阶部的半导体基板的该台阶部的内周端面照射由反射镜反射的反射光，因此能够以可通过显影而将在该内周端面之上形成的感光性膜去除的程度充分地进行曝光。

附图说明

图1是用于说明本实施方式涉及的周边曝光装置的剖视图。

图2是用于说明本实施方式涉及的周边曝光装置的框图。