[发明专利]用于在原始结构上生成碳层的方法以及微机电或半导体结构在审
| 申请号： | 201580074163.7 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107112202A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | F.霍伊克;S.纳格尔;F.罗尔芬 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 胡莉莉,张涛 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于生成微机电或半导体结构的方法，所述方法具有如下步骤‑提供原始结构，所述原始结构的表面至少具有由二氧化硅组成的部分，‑提供一种原材料或者多种原材料的混合物，所述原材料在LPCVD工艺中是由碳、硅和氯构成的混合物，‑将所述原始结构以及所述一种原材料或者原材料的混合物引入到所述LPCVD工艺中，并且借此‑使碳层沉积在所述原始结构的由二氧化硅组成的部分上；以及本发明涉及一种微机电或半导体结构，所述微机电或半导体结构根据该方法来制造。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 原始 结构 生成 方法 以及 微机 半导体 | ||
【主权项】：
一种用于生成微机电或半导体结构的方法，所述方法具有如下步骤：‑ 提供（31）原始结构（1），所述原始结构（1）的表面至少具有由二氧化硅组成的部分（12‑1、12‑2、12‑3、12‑4），‑ 提供（32）一种原材料或者多种原材料的混合物，所述原材料在LPCVD工艺中是由碳、硅和氯构成的混合物，‑ 将所述原始结构（1）以及所述一种原材料或者原材料的混合物引入（33）到所述LPCVD工艺中，并且借此‑ 使碳层（14‑1、14‑2、14‑3、14‑4）沉积（34）在所述原始结构（1）的由二氧化硅组成的部分（12‑1、12‑2、12‑3、12‑4）上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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