[发明专利]具有顶部接触件下方的沟槽的发光器件

摘要

本发明的实施例针对垂直发光器件中的结构，所述结构防止光在吸收结构下方生成和/或引导光离开吸收结构。本发明的实施例包括半导体结构，所述半导体结构包括设置在n型区和p型区之间的发光层。底部接触件设置在半导体结构的底部表面上。底部接触件电气连接到n型区和p型区中的一个。顶部接触件设置在半导体结构的顶部表面上。顶部接触件电气连接到n型区和p型区中的另一个。顶部接触件包括第一侧以及与第一侧相对的第二侧。第一沟槽形成在顶部接触件的第一侧下方的半导体结构中。第二沟槽形成在顶部接触件的第二侧下方的半导体结构中。

主权项

一种器件，包括：半导体结构，包括设置在n型区和p型区之间的发光层；设置在半导体结构的底部表面上的底部接触件，其中底部接触件电气连接到n型区和p型区中的一个；设置在半导体结构的顶部表面上的顶部接触件，其中顶部接触件电气连接到n型区和p型区中的另一个；以及设置在顶部接触件正下方的反射镜，反射镜包括形成在半导体结构中的沟槽和设置在沟槽中的反射材料，其中沟槽从半导体结构的底部表面延伸并且沟槽没有穿透发光层。