[发明专利]高压开关有效

专利信息
申请号: 201580071756.8 申请日: 2015-10-09
公开(公告)号: CN107431482B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 李雪青 申请(专利权)人: 美国联合碳化硅公司
主分类号: H03K17/10 分类号: H03K17/10;H03K17/16;H03K17/60
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 唐京桥;陈炜
地址: 美国新*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种高压开关设备通过以下形成:将若干个常导通的晶体管例如JFET彼此串联连接,其中,每个晶体管的漏极连接至下一个的源极;将常导通的晶体管的链与常关断的开关部件例如MOSFET串联连接,其中,常关断的开关部件的漏极连接至链中的第一个晶体管的源极;以及对每个晶体管,连接电压钳位器件例如二极管,其中,电压钳位器件的阳极连接至晶体管的源极,而电压钳位器件的阴极连接至链中的下一个晶体管的栅极。
搜索关键词: 高压 开关
【主权项】:
一种高压开关,包括:开关器件,所述开关器件是具有栅极端子、漏极端子以及源极端子的常关断的n沟道器件;晶体管的链,所述晶体管是均具有栅极端子、漏极端子以及源极端子的常导通的n沟道JFET,其中,所述晶体管以漏极至源极的方式串联连接,其中,所述链中的第一个晶体管的源极连接至所述开关器件的漏极;对于所述链中的从所述链中的第二个晶体管到所述链中的倒数第二个晶体管的每个晶体管,存在与所述晶体管相关联的钳位器件,其中,所述钳位器件的阳极连接至所述晶体管的源极,而所述钳位器件的阴极连接至所述链中的下一个晶体管的栅极;并且对于所述链中的从所述链中的第二个晶体管到所述链中的最后一个晶体管的每个晶体管,负载电路包括电阻器,所述负载电路连接在所述晶体管的漏极与所述晶体管的栅极之间。
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