[发明专利]用于基于阈值电压降档量的存储器单元的刷新编程的方法和设备

摘要

提供了用于周期性地监测并调整电荷捕获存储器器件中的存储器单元的阈值电压电平的技术。当满足准则时，诸如基于通过特定的时间段，读取存储器单元以根据阈值电压(Vth)的降档量将它们分类成不同的子集。每个数据状态可以使用两个或多个子集。子集还可以包括使用误差校正码(ECC)解码来校正的单元。存储器单元的子集被刷新编程而不被擦除，其中与Vth降档成比例地提供Vth升档。刷新编程可以对每个子集使用固定的或自适应数量的编程脉冲。某些单元将不具有可检测的Vth降档或可以忽略的少量的Vth降档。这些单元不需要被刷新编程。

主权项

一种用于操作存储器器件的方法，包含∶进行涉及存储器单元(900‑915)组(950)的完整编程操作，所述完整编程操作使用一个目标数据状态(A、B、C)的初始验证电压(VvA、VvB、VvC)对存储器单元编程；在完成所述完整编程操作之后，作出是否满足用于检查所述存储器单元组的数据保留的准则的确定；响应于满足所述准则的确定，对所述一个目标数据状态的存储器单元进行感测操作，以在所述存储器单元组中识别存储器单元的多个子集，所述存储器单元的多个子集包括存储器单元的第一(Asubl、Bsubl、Csubl)、第二(Asub2、Bsub2、Csub2)和第三(Bsub3、Csub3)子集，存储器单元的所述第一子集处于包含所述初始验证电压(VvC)的第一阈值电压范围(Vth>VrCl；VrB1<Vth<VrB/C；VrA1<Vth<VrA/B)中，存储器单元的所述第二子集处于低于所述第一阈值电压范围的第二阈值电压范围(VrC2<Vth<VrCl；VrB2<Vth<VrB1；VrE/A<Vth<VrA1)中，并且存储器单元的所述第三子集处于低于所述第二阈值电压范围的第三阈值电压范围(VrB/C<Vth<VrC2；VrA/B<Vth<VrB2；Vth<VrE/A)中；以及对存储器单元的所述第二子集进行刷新编程，并对存储器单元的所述第三子集进行刷新编程，而不对存储器单元的所述第一子集进行刷新编程，其中，由对存储器单元的所述第三子集的刷新编程引起的存储器单元的所述第三子集的阈值电压升档(VvC3‑VrB/C；VvB3‑VrA/B)大于由对存储器单元的所述第二子集的刷新编程引起的存储器单元的所述第二子集的阈值电压升档(VvC2‑VrC2；VvB2‑VrB2)。