[发明专利]用于在非易失性存储器中区块编程的部分区块擦除

摘要

非易失性存储器系统在程序操作期间，利用部分区块擦除以减轻编程通过电压扰动的影响。编程请求被接收为与区块中的一组字线相关联，诸如所有或部分字线。在开始编程前，系统擦除并且软编程区块。系统对用于编程请求的区块的字线的子集进行编程。在为字线的子集编程后，系统暂停编程操作并且为区块的未编程字线执行擦除操作。在擦除操作期间，已经编程的字线和一个或多个可选的缓冲字线可以被禁止擦除。在擦除未编程字线后，系统通过在区块的未编程区域中编程剩余的用户数据，完成编程请求。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：多个NAND串，所述多个NAND串包含非易失性储存元件；多个字线，所述多个字线与所述多个NAND串通信；以及管理电路，所述管理电路与所述多个NAND串和所述多个字线通信；所述管理电路配置为接收与所述多个字线相关联的编程请求，所述管理电路配置为使用用于所述编程请求的用户数据的第一部分来编程第一组字线，所述管理电路配置为擦除第二组字线，同时在编程所述第一组字线后禁止所述第一组字线被擦除，并且在擦除第二组字线后，使用所述用户数据的第二部分对所述第二组字线编程。