[发明专利]场效应晶体管在审
| 申请号： | 201580068298.2 | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107004605A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 永久哲三;福见公孝;吐田真一 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/336;H01L21/337;H01L27/095;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管，具备氮化物半导体层，含有异质结；源极电极(5)及漏极电极(6)，于所述氮化物半导体层上互相隔开间隔而配置；第一栅极电极(7)，位于所述源极电极(5)与所述漏极电极(6)之间，并且以常导通运作；第二栅极电极(9)，位于所述第一栅极电极(7)与所述源极电极(5)之间，并且以常关断运作，所述第一栅极电极(7)以于俯视时包围所述漏极电极(6)的方式配置，所述第二栅极电极(9)以于俯视时包围所述源极电极(5)的方式配置。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其特征在于，具备：氮化物半导体层(4)，含有异质结；源极电极(5)及漏极电极(6)，于所述氮化物半导体层(4)上互相隔开间隔而配置；第一栅极电极(7)，位于所述源极电极(5)与所述漏极电极(6)之间，并且以常导通运作；第二栅极电极(9)，位于所述第一栅极电极(7)与所述源极电极(5)之间，并且以常关断运作，所述第一栅极电极(7)以于俯视时包围所述漏极电极(6)的方式配置，所述第二栅极电极(9)以于俯视时包围所述源极电极(5)的方式配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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