[发明专利]易失性/非易失性SRAM器件在审
| 申请号： | 201580067948.1 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN107004445A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈晓楠;Z·王;X·李 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C14/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陈炜,袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种操作静态随机存取存储器(SRAM)存储元件的方法包括在掉电事件之前将一值编程到该SRAM存储元件。该方法进一步包括响应于在掉电事件之后在SRAM存储元件处的上电事件，增加SRAM存储元件的电源电压并感测SRAM存储元件的状态，以确定在掉电事件之前被编程到SRAM存储元件的值。在一特定示例中，一种装置包括SRAM存储元件以及耦合到该SRAM存储元件的控制电路系统。该控制电路系统可被配置成将值编程到SRAM存储元件，增加电源电压，并感测SRAM存储元件的状态以确定在掉电事件之前被编程到SRAM存储元件的值。 | ||
| 搜索关键词： | 易失性 非易失性 sram 器件 | ||
【主权项】：
一种操作静态随机存取存储器(SRAM)存储元件的方法，所述方法包括：在掉电事件之前将一值编程到所述SRAM存储元件；以及响应于在所述掉电事件之后在所述SRAM存储元件处的上电事件：增加所述SRAM存储元件的电源电压；以及感测所述SRAM存储元件的状态以确定在所述掉电事件之前被编程到所述SRAM存储元件的所述值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580067948.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
