[发明专利]用于射频应用的结构有效
| 申请号： | 201580065277.5 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN107004572B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | O·科农丘克;D·朗德吕;C·菲盖 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于射频应用的结构(1)，其包括：半导体支撑衬底(2)；捕获层(3)，其布置在支撑衬底(2)上；捕获层(3)的特点在于其包括比预定缺陷密度更高的缺陷密度；所述预定缺陷密度为这样的缺陷密度：超过该缺陷密度，捕获层(3)的电阻率在[‑20℃；+120℃]的温度范围内不低于10Kohm.cm。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 射频 应用 结构 | ||
【主权项】：
一种用于射频应用的结构(1,1’,11)，其包括：·半导体支撑衬底(2)；·捕获层(3)，其布置在支撑衬底(2)上；其中，捕获层(3)的特征在于，其包括大于预定缺陷密度的缺陷密度，所述预定缺陷密度为这样的缺陷密度：其使得在温度范围[‑20℃；+120℃]内，捕获层(3)的电阻率大于或等于10kohm.cm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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