[发明专利]硅晶圆的研磨方法有效
| 申请号： | 201580064050.9 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN107004594B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木正直;桥本浩昌;藤山佳 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B57/02 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种硅晶圆的研磨方法，将供给至硅晶圆而使用于研磨的含有研磨磨粒的使用过的研磨浆回收，并将经回收的使用过的研磨浆循环供给至硅晶圆而进行研磨，其中，于经回收的使用过的研磨浆不加入未经使用的研磨磨粒，以及注入混合碱性溶液，而将经回收的使用过的研磨浆循环供给至硅晶圆而进行研磨，其中混合碱性溶液包含螯合剂以及包含pH调整剂及研磨速率促进剂的其中一个或是两个，因此能够在将使用过的研磨浆循环提供至硅晶圆而进行研磨时，抑制金属杂质污染，并且使使用过的研磨浆的组成(螯合剂的浓度等)安定。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种硅晶圆的研磨方法，将供给至该硅晶圆而使用于研磨的含有研磨磨粒的使用过的研磨浆回收，并将该经回收的使用过的研磨浆循环供给至该硅晶圆而进行研磨，其中，于该经回收的使用过的研磨浆不加入未经使用的研磨磨粒，以及注入混合碱性溶液，而将该经回收的使用过的研磨浆循环供给至该硅晶圆而进行研磨，其中该混合碱性溶液包含螯合剂以及包含pH调整剂及研磨速率促进剂的其中一个或是两个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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