[发明专利]基于MEMS的三维离子阱装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201580058431.6 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN107077643B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 金兑炫;赵东日;李珉栽;洪锡俊;千弘珍 | 申请（专利权）人： | 阿尔派量子技术公司 |
| 主分类号： | G06N10/00 | 分类号： | G06N10/00;H04B10/70;H04L9/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;金玲 |
| 地址： | 奥地利因*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在本发明的实施例中，提供一种离子阱装置及其制造方法，所述离子阱装置的基板的上侧或者下侧包括第一RF电极轨、第二RF电极轨、一个以上的第一DC电极及一个以上的第二DC电极，其特征在于，所述基板在以所述离子阱装置的宽度方向为基准而一侧和另一侧相隔一定距离而分离的空间内形成离子阱，所述第一RF电极轨和所述第二RF电极轨沿着所述离子阱装置的长度方向并行布置，所述第一RF电极轨位于所述一侧的上部，所述一个以上的第二DC电极位于所述一侧的下部，所述一个以上的第一DC电极位于所述另一侧的上部，所述第二RF电极轨位于所述另一侧的下部，具有从所述基板的一侧或者另一侧的外侧面连接至所述阱区域的激光贯穿路径。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mems 三维 离子 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种离子阱装置，其在基板的上侧或者下侧包括第一RF电极轨、第二RF电极轨、一个以上的第一DC电极及一个以上的第二DC电极，该离子阱装置的特征在于，所述基板在以所述离子阱装置的宽度方向为基准而一侧和另一侧相隔一定距离而分离的空间内形成离子阱区域，所述第一RF电极轨和所述第二RF电极轨沿着所述离子阱装置的长度方向并行布置，所述第一RF电极轨位于所述一侧的上部，所述一个以上的第二DC电极位于所述一侧的下部，所述一个以上的第一DC电极位于所述另一侧的上部，所述第二RF电极轨位于所述另一侧的下部，该离子阱装置具有从所述基板的一侧或者另一侧的外侧面连接至所述阱区域的激光贯穿路径。
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