[发明专利]转印薄膜及其制造方法和层叠体、静电电容型输入装置及图像显示装置的制造方法有效
申请号: | 201580054494.4 | 申请日: | 2015-10-22 |
公开(公告)号: | CN106794679B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 后藤英范;佐藤守正 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | B32B27/00 | 分类号: | B32B27/00;B32B27/36;B32B33/00;G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;张志楠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种转印薄膜,其在转印中抑制层叠时气泡的混入,且能够形成也可以充分地承受湿热试验的层叠体。另外,本发明提供一种上述转印薄膜的制造方法、使用了上述转印薄膜的层叠体的制造方法、静电电容型输入装置的制造方法及图像显示装置的制造方法。本发明的转印薄膜的特征在于:将临时支撑体、树脂层、覆盖膜以该层结构而包含,当从树脂层剥离了所述覆盖膜时,所述覆盖膜的与树脂层接触的面的依照JIS‑B0601‑2001的表面粗糙度SRz为130nm以下,且SRa为8nm以下。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 及其 制造 方法 层叠 静电 电容 输入 装置 图像 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种转印薄膜,其特征在于,以后述层结构包含临时支撑体、树脂层、覆盖膜,当从树脂层剥离了所述覆盖膜时,所述覆盖膜的与树脂层接触的面的依照JIS‑B0601‑2001的表面粗糙度SRz为130nm以下,且SRa为8nm以下。
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