[发明专利]高分子压电膜在审
申请号: | 201580053137.6 | 申请日: | 2015-10-20 |
公开(公告)号: | CN107078207A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 尾崎胜敏;谷本一洋;佐藤圭祐;天野正己 | 申请(专利权)人: | 三井化学株式会社 |
主分类号: | H01L41/193 | 分类号: | H01L41/193;B29C55/12;C08J5/18;H01L41/09;H01L41/113;H01L41/333;H01L41/45 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 高分子压电膜,其包含重均分子量为5万~100万的具有光学活性的螺旋手性高分子,对于所述高分子压电膜而言,利用DSC法得到的结晶度为20%~80%,并且,利用微波透射型分子取向计测得的将基准厚度设定为50μm时的标准化分子取向MORc与上述结晶度的乘积为40~700,将膜面内的慢轴方向上的折射率设定为nx、将膜面内的快轴方向上的折射率设定为ny、将膜的厚度方向上的折射率设定为nz、并设定Nz系数=(nx‑nz)/(nx‑ny)时,Nz系数在1.108~1.140的范围内。 | ||
搜索关键词: | 高分子 压电 | ||
【主权项】:
高分子压电膜,其包含重均分子量为5万~100万的具有光学活性的螺旋手性高分子,对于所述高分子压电膜而言,利用DSC法得到的结晶度为20%~80%,并且,利用微波透射型分子取向计测得的将基准厚度设定为50μm时的标准化分子取向MORc与所述结晶度的乘积为40~700,将膜面内的慢轴方向上的折射率设定为nx、将膜面内的快轴方向上的折射率设定为ny、将膜的厚度方向上的折射率设定为nz、并设定Nz系数=(nx‑nz)/(nx‑ny)时,Nz系数在1.108~1.140的范围内。
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