[发明专利]具有提供减少的读扰乱的传输门的七晶体管SRAM位单元有效
| 申请号： | 201580050871.7 | 申请日： | 2015-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN107077884B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | S-O·郑;Y·杨;S·S·宋;Z·王;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司;延世大学校产学协力团 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李小芳;袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 系统和方法涉及七晶体管静态随机存取存储器(7T SRAM)位单元(图5，500)，其包括第一反相器和第二反相器，第一反相器具有第一上拉晶体管(512)、第一下拉晶体管(514)和第一存储节点(510)，第二反相器具有第二上拉晶体管(522)、第二下拉晶体管(524)和第二存储节点(520)。第二存储节点耦合至第一上拉晶体管和第一下拉晶体管的栅极。传输门(540)被配置成：在写操作、待机模式和保持模式期间选择性地将第一存储节点耦合至第二上拉晶体管和第二下拉晶体管的栅极；以及在读操作期间选择性地使第一存储节点与第一上拉晶体管和第一下拉晶体管的栅极解耦。该7T SRAM位单元可通过耦合至第一存储节点(510)的存取晶体管(522)来读取或写入。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 提供 减少 扰乱 传输 晶体管 sram 单元 | ||
【主权项】：
一种七晶体管静态随机存取存储器(7T SRAM)位单元，包括：第一反相器，其包括第一上拉晶体管、第一下拉晶体管和第一存储节点；第二反相器，其包括第二上拉晶体管、第二下拉晶体管和第二存储节点，其中所述第二存储节点耦合至所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管的栅极；耦合至所述第一存储节点的存取晶体管；以及传输门，其被配置成选择性地将所述第一存储节点耦合至所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管的栅极。
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