[发明专利]层叠膜和挠性电子设备

摘要

本发明的课题是提供将不同种类的层设置于薄膜层上时耐冲击性优异的阻气性层叠膜。本发明提供一种层叠膜，其具备挠性基材和形成于上述基材的至少一侧的表面上的薄膜层，上述薄膜层含有Si、O和C，对上述薄膜层的表面进行X射线光电子能谱测定时，使用由宽扫描能谱得到的相当于Si的2p、O的1s、N的1s和C的1s的各自的结合能的峰而算出的C相对于Si的原子数比在下述式(1)的范围，对上述薄膜层表面进行红外光谱测定时，存在于950～1050cm‑1的峰强度(I1)与存在于1240～1290cm‑1的峰强度(I2)的强度比在下述式(2)的范围。0.01＜C/Si≤0.20(1)0.01≤I2/I1＜0.05(2)。

主权项

一种层叠膜，是具备挠性基材和形成于所述基材的至少一侧的表面上的薄膜层的层叠膜，所述薄膜层含有硅原子(Si)、氧原子(O)和碳原子(C)，对所述薄膜层的表面进行X射线光电子能谱测定时，使用由宽扫描能谱得到的相当于Si的2p、O的1s、N的1s和C的1s的各自的结合能的峰而算出的碳原子相对于硅原子的原子数比在下述式(1)的范围，以红外光谱测定的ATR法测定所述薄膜层表面时，存在于950～1050cm‑1的峰强度(I1)与存在于1240～1290cm‑1的峰强度(I2)的强度比在下述式(2)的范围，0.01＜C/Si≤0.20     (1)0.01≤I2/I1＜0.05     (2)。