[发明专利]半导体加工用带及使用此所制造的半导体装置有效
| 申请号： | 201580046165.5 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN106663617B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 中村俊光;杉山二朗 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/38;B23K26/53;C09J7/20;C09J201/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种受运搬时等的冲击仍不会产生切痕或破裂，在将粘接剂层加工成规定大小的预切工序中，即使拉伸仍不会破裂的加工性优异的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)，其特征在于，层压有粘接剂层(13)和粘合片(15)，且所述粘接剂层(13)在根据JIS K7128‑3所规定的直角形试验法下的撕裂强度(A)为0.8MPa以上，在‑15℃下JIS K7128‑3所规定的直角形试验法下的撕裂强度(C)为0.8MPa以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体加工 粘接剂层 试验法 直角形 撕裂 破裂 半导体装置 加工性 粘合片 层压 拉伸 切痕 预切 加工 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体加工用带，其特征在于，层叠有粘接剂层与粘合片，所述粘接剂层的根据在23℃下JIS K 7128-3所规定的直角形试验法的撕裂强度(A)为0.8MPa以上、根据在-15℃下JIS K 7128-3所规定的直角形试验法的撕裂强度(C)为0.8MPa以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
