[发明专利]半导体加工用带及使用此所制造的半导体装置

说明书

本发明的课题在于提供一种受运搬时等的冲击仍不会产生切痕或破裂，在将粘接剂层加工成规定大小的预切工序中，即使拉伸仍不会破裂的加工性优异的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)，其特征在于，层压有粘接剂层(13)和粘合片(15)，且所述粘接剂层(13)在根据JIS K7128‑3所规定的直角形试验法下的撕裂强度(A)为0.8MPa以上，在‑15℃下JIS K7128‑3所规定的直角形试验法下的撕裂强度(C)为0.8MPa以下。

技术领域

本发明涉及一种能扩展的半导体加工用带，及使用此半导体加工用带所制造的半导体装置；该半导体加工用带在将半导体晶圆分割成小片状元件的切割(dicing)工序中，能利用于固定半导体晶圆，并且在粘接切割后的小片与小片之间或小片与基板之间的小片接合(die bonding) 工序或安装(mounting)工序中也能利用，且同时能利用在通过扩展(expanding)而沿着小片分割粘接剂层的工序中。

背景技术

过往，在集成电路(IC：Integrated Circuit)等的半导体装置的制造工序中，实施为了膜化电路图案形成后的晶圆而研削晶圆背面的背面研磨(back grinding)工序；在晶圆背面贴上具有粘合性及伸缩性的半导体加工用带后，将晶圆分割成小片单元的切割工序；扩张(扩展)半导体加工用带的扩展(expanding)工序、拾取经分割的小片的拾取工序；再将经拾取的小片粘接于引线框架或封装基板等(或在堆叠封装(stacked package)中将小片彼此层叠、粘接)的小片结合(安装)工序。

在上述背面研磨工序中，为了保护晶圆的电路图案形成面(晶圆表面)免于污染，而会使用表面保护带。晶圆的背面研削结束后，从晶圆表面将此表面保护带予以剥离的时候，将以下所述的半导体加工用带(切割·小片结合带)贴合于晶圆背面后，将半导体加工用带侧固定在吸附桌(suction table)上，对表面保护带施以对晶圆的粘接力降低的处理后，剥离表面保护带。表面保护带受到剥离的晶圆，其后在背面贴合有晶圆的状态下，从吸附桌取起而提供至其后的切割工序。需要说明的是，上述的使粘接力降低的处理是指当表面保护带由紫外线等的能量线固化性成分所构成时，则为能量线照射处理，而当表面保护带由热固化性成分所构成时，则为加热处理。

上述背面研磨工序后的切割工序至安装工序中，使用在基材膜上依粘合剂层与粘接剂层的顺序层叠而成的半导体加工用带。一般而言，在使用此种半导体加工用带时，首先，在晶圆的背面贴合半导体加工用带的粘接剂层而固定晶圆，使用切割刀将晶圆及粘接剂层切割成小片单元。其后，实施使带向晶圆的直径方向进行扩张，而拉开小片彼此间隔的扩展工序。此扩展工序是为了在其后的拾取工序中提高通过CCD照相机等的对于小片的认识性，并且在拾取小片时防止邻接的小片因彼此接触而产生的小片破损所实施者。其后，小片在拾取工序中与粘接剂层一同地从粘合剂层剥离后被拾取，在安装工序中，直接地粘接于引线框架或封装基板等上。因此，通过使用半导体加工用带，由于变得能将附粘接剂层的小片直接地粘接于引线框架或封装基板等上，故能省略粘接剂的涂布工序或另外的将各小片粘接于小片结合膜上的工序。

然而，在上述切割工序中，如上所述，由于使用切割刀将晶圆与粘接剂层一同地进行切割，故不仅产生晶圆的切削屑，也会产生粘接剂层的切削屑。并且，还有粘接剂层的切削屑堵塞在晶圆切割沟时，小片彼此粘附而导致产生拾取不良等，半导体装置的制造成品率产生降低的问题。

为了解决此种问题，已提出在切割工序中通过刀仅切割晶圆，且在扩展工序中通过扩张半导体加工用带，而粘接剂层分割成各个小片的方法(例如，专利文献1)。根据此种利用扩张时的张力而分割粘接剂层的分割方法，不会产生粘接剂的切削屑，在拾取工序中也不会有不良影响。