[发明专利]Cu基烧结轴承及Cu基烧结轴承的制造方法有效
| 申请号： | 201580046121.2 | 申请日： | 2015-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN106795590B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 石井义成;竹添真一;丸山恒夫 | 申请（专利权）人： | 大冶美有限公司 |
| 主分类号： | C22C9/06 | 分类号： | C22C9/06;B22F1/00;B22F5/00;C22C1/04;C22C1/05;F16C33/10;F16C33/12;F16C33/14 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 张玉玲<国际申请>=PCT/JP2015 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | Cu基烧结轴承，其含有Ni：15质量％以上并在36质量％以下、Sn：3质量％以上并在13质量％以下、P：0.05质量％以上并在0.55质量％以下、作为总和的C：0.02质量％以上并在4质量％以下，余量由Cu和不可避免的杂质构成，在Cu－Ni系主相晶粒内与基体合金化的C的含量为0.02质量％以上并在0.10质量％以下。 | ||
| 搜索关键词： | cu 烧结 轴承 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Cu基烧结轴承，其中，含有Ni：15质量％以上并在36质量％以下、Sn：3质量％以上并在13质量％以下、P：0.05质量％以上并在0.55质量％以下、以及总和的C：0.02质量％以上并在4质量％以下，余量由Cu和不可避免的杂质构成，/n所述总和的C是在Cu-Ni系主相晶粒内与基体合金化的C以及作为游离石墨的C的总和，/n所述在Cu-Ni系主相晶粒内与基体合金化的C来自于原料的Cu-Ni合金粉末中所含有的C，/n在Cu-Ni系主相晶粒内与基体合金化的C的含量为0.02质量％以上并在0.10质量％以下。/n
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