[发明专利]薄膜晶体管及显示面板有效

专利信息
申请号: 201580040872.3 申请日: 2015-03-27
公开(公告)号: CN106663697B 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 野寺伸武;石田茂;高仓良平;松岛吉明;松本隆夫;小林和树;桶谷大亥 申请(专利权)人: 堺显示器制品株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 崔炳哲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。薄膜晶体管,包括:栅极电极(2),形成于基板(1)的表面;多晶硅层(5),形成于上述栅极电极的上侧;非晶硅层(4、6),形成为覆盖上述多晶硅层;n+硅层(7),形成于上述非晶硅层的上侧;以及源极电极(8)和漏极电极(9),形成于上述n+硅层上;将上述多晶硅层、源极电极及漏极电极投影在上述基板表面的投影状态下,上述多晶硅层的一部分分别与上述源极电极和漏极电极的一部分重叠,且在上述投影状态下位于上述源极电极和漏极电极之间的上述多晶硅层中,与上述源极电极和漏极电极之间的长度方向正交的宽度方向上的最小尺寸小于上述源极电极和漏极电极的上述宽度方向上的尺寸。
搜索关键词: 薄膜晶体管 显示 面板
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:栅极电极,形成于基板的表面;多晶硅层,形成于上述栅极电极的上侧;非晶硅层,形成为覆盖上述多晶硅层;n+硅层,形成于上述非晶硅层的上侧;以及源极电极和漏极电极,形成在上述n+硅层上;将上述多晶硅层、上述源极电极及上述漏极电极投影在上述基板表面的投影状态下,上述多晶硅层的一部分与上述源极电极的一部分和上述漏极电极的一部分重叠,在上述投影状态下位于上述源极电极和上述漏极电极之间的上述多晶硅层的、与上述源极电极和上述漏极电极之间的长度方向正交的宽度方向上的最小尺寸小于上述源极电极和上述漏极电极的上述宽度方向上的尺寸,上述多晶硅层在上述源极电极和上述漏极电极中的一个电极侧具有上述宽度方向上的尺寸小于上述一个电极的上述宽度方向上的尺寸的矩形的区域,上述多晶硅层在上述源极电极和上述漏极电极中的另一个电极侧具有上述宽度方向上的尺寸大于上述另一个电极的上述宽度方向上的尺寸的矩形的区域。
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