[发明专利]薄膜晶体管及显示面板

说明书

提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。薄膜晶体管，包括：栅极电极(2)，形成于基板(1)的表面；多晶硅层(5)，形成于上述栅极电极的上侧；非晶硅层(4、6)，形成为覆盖上述多晶硅层；n+硅层(7)，形成于上述非晶硅层的上侧；以及源极电极(8)和漏极电极(9)，形成于上述n+硅层上；将上述多晶硅层、源极电极及漏极电极投影在上述基板表面的投影状态下，上述多晶硅层的一部分分别与上述源极电极和漏极电极的一部分重叠，且在上述投影状态下位于上述源极电极和漏极电极之间的上述多晶硅层中，与上述源极电极和漏极电极之间的长度方向正交的宽度方向上的最小尺寸小于上述源极电极和漏极电极的上述宽度方向上的尺寸。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)方式的液晶显示器，通过将TFT基板和具有R(红)、G(绿)、B(蓝)色的滤色器基板设置所需间隙而粘合，并向TFT基板和滤色器基板之间注入液晶，调节每个像素的液晶分子的光的透射率，从而能够显示影像。

在TFT基板中，数据线和扫描线沿着横竖方向配线成为格子状，在数据线和扫描线的交差处，形成有由TFT构成的像素。另外，在由多个像素构成的显示区域的周围，形成有由TFT构成，用于驱动数据线和扫描线的驱动电路。

TFT根据半导体(硅)的结晶状态，有非晶态的a-Si(amorphous Silicon：非晶硅)TFT和多晶态的p-Si(polycrystalline Silicon：多晶硅)TFT两种。a-SiTFT，其电阻高，泄漏电流(leakage current)小。另外，p-SiTFT与a-SiTFT相比，电子迁移率格外大。因此，在构成显示区域的每个像素中使用泄漏电流小的a-SiTFT，在驱动电路中使用电子迁移率大的p-SiTFT。

另一方面，TFT从结构方面来看，通常，在a-SiTFT中采用将栅极电极配置于最底层的底栅结构，在p-SiTFT中采用将栅极电极配置于半导体膜的上侧的顶栅结构。但在一张基板上形成结构不同的TFT时，制造过程会变得复杂。

因此，公开了一种具有以下结构的液晶显示装置，在底栅结构的TFT中，形成a-Si层覆盖p-Si层，且p-Si层与源极电极和漏极电极不直接接触(专利第5226259号公报)。

发明内容

在专利第5226259号公报的液晶显示装置中，预先在整个基板上形成a-Si层，并向整个基板照射激光，从而使a-Si层转变成多晶态的p-Si层。

然后在结晶化后，经过曝光、显影、蚀刻工序，在源极电极和漏极电极之间的整个沟道区域形成p-Si层。但是，p-Si层存在电子迁移率大但截止电流(Off Current，也称为泄漏电流)増加的问题。在顶栅结构的TFT中，作为降低截止电流的方法，例如可以采用LDD(Light Doped Drain；轻掺杂漏)等结构，但存在制造工序的数目増加，因而成本上升的问题。

本发明是鉴于上述的实际情况而提出的，其目的在于，提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。

解决问题的技术方案

本发明的薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极电极，其形成于基板的表面；多晶硅层，其形成于上述栅极电极的上侧；非晶硅层，其形成为覆盖上述多晶硅层；n+硅层，其形成于上述非晶硅层的上侧；以及源极电极和漏极电极，其形成在上述n+硅层上；将上述多晶硅层、上述源极电极及上述漏极电极投影在上述基板表面的投影状态下，上述多晶硅层的一部分与上述源极电极的一部分和上述漏极电极的一部分重叠，且在上述投影状态下位于上述源极电极和上述漏极电极之间的上述多晶硅层的、与上述源极电极和上述漏极电极之间的长度方向正交的宽度方向上的最小尺寸小于上述源极电极和上述漏极电极的上述宽度方向上的尺寸。