[发明专利]含高锰酸根离子的水及其制造方法有效
| 申请号： | 201580040696.3 | 申请日： | 2015-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN106660823B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 高桥正好 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | C01G45/12 | 分类号： | C01G45/12;C02F1/50;C02F1/72;C02F1/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈冠钦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于，提供一种高锰酸根离子长期稳定地存在的水及其制造方法。作为其解决手段的本发明的含高锰酸根离子的水是在使用浓度为1～300g/Nm3的臭氧气体而产生了臭氧微气泡的水中溶解0.1μM～1mM的2价锰化合物、0.1μM～1mM的有机铁化合物、1～300mM的无机盐而成的。本发明的含高锰酸根离子的水的高锰酸根离子的半衰期例如将在大气压下填充于密封容器的含高锰酸根离子的水在40℃的温度条件下保存时为3个月以上，与通过将高锰酸化合物溶解于水而制造的含高锰酸根离子的水相比，在包含高锰酸根离子这点上共通，但具有显著不同的性质。 | ||
| 搜索关键词： | 含高锰 酸根 离子 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.含高锰酸根离子的水，其是在使用浓度为1～300g/Nm3的臭氧气体而产生了粒径为5～50μm的臭氧微气泡的水中溶解0.1μM～1mM的2价锰化合物、0.1μM～1mM的有机铁化合物、1～300mM的选自由氯化钠、氯化钾、氯化镁、硫酸镁构成的组中的至少1种的无机盐而成的，pH为3～10，其中，将该含高锰酸根离子的水在大气压下填充于密封容器中在40℃的温度条件下保存时，高锰酸根离子的半衰期为3个月以上。
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