[发明专利]相位控制调光器电路有效

专利信息
申请号: 201580039688.7 申请日: 2015-05-20
公开(公告)号: CN106664769B 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: J·范德赞 申请(专利权)人: 奥祖诺控股有限公司
主分类号: H05B37/00 分类号: H05B37/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;陈鹏
地址: 英国英属*** 国省代码: 英国;GB
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摘要: 用于控制到负载的交流(AC)电力的后沿相位控制调光器电路,该电路包括:开关电路,其用于通过在导通状态下向负载传导电力而在关断状态下不向负载传导电力来控制向负载输送AC电力;以及开关控制电路,其用于在AC的每个周期控制开关电路的切断和接通,以控制开关电路的导通和关断状态的切换,其中开关控制电路控制开关电路的切断包括控制开关电路在开关电路的导通状态和关断状态之间的切断过渡延伸达到所选择的切断过渡时间,以及其中开关控制电路还包括用于通过将由开关电路产生的至少一些dv/dt反馈电流返回到开关电路来控制切断过渡曲线的dv/dt反馈电路,切断过渡曲线指示切断过渡的开关电路的漏极电压和选择的切断过渡时间,由此dv/dt反馈电路被配置为在切断过渡期间控制所述至少一些dv/dt反馈电流,以便减小切断过渡曲线的至少初始区域的变化率,从而使由开关电路产生的谐波最小化。
搜索关键词: 相位 控制 调光器 电路
【主权项】:
1.一种后沿相位控制调光器电路(22),用于控制到负载的交流(AC)电力,所述电路包括:开关电路(12),其包括至少一个MOSFET开关装置,用于通过在导通状态下向所述负载传导电力而在关断状态下不向所述负载传导电力来控制向所述负载输送AC电力;以及开关控制电路(24),其用于控制在所述AC的每个周期所述开关电路(12)的切断和接通,以控制所述开关电路(12)的所述导通状态和关断状态的切换,所述开关控制电路(24)控制所述开关电路(12)的切断包括:控制所述开关电路(12)在所述开关电路(12)的所述导通状态和所述关断状态之间的切断过渡,延伸达到所选择的切断过渡时间,其特征在于,所述开关控制电路(24)进一步包括dv/dt反馈电路(20),其用于通过将由所述开关电路(12)产生的至少一些dv/dt反馈电流返回到所述开关电路(12)来控制切断过渡曲线,所述切断过渡曲线指示所述切断过渡的所述开关电路(12)的漏极电压和所述选择的切断过渡时间,由此所述dv/dt反馈电路(20)被配置为控制所述切断过渡上的所述至少一些dv/dt反馈电流,以便减小所述切断过渡曲线的至少初始区域的变化率,从而使由所述开关电路(12)产生的谐波最小化,其中,所述开关电路(12)包括两个MOSFET(Q4,Q5),以便在所述AC的每半个周期分别控制切断和接通,以及其中所述开关控制电路(24)提供所述MOSFET(Q4,Q5)的栅极驱动控制,以控制所述MOSFET(Q4,Q5)的所述切断过渡,其中,所述切断过渡时间与所述MOSFET(Q4,Q5)的MOSFET栅极电容的放电时间成比例,其中,所述开关控制电路(2)包括第二晶体管(Q2),其被配置为被拉低以使所述MOSFET栅极电容经由第三电阻器(R3)放电,所述第三电阻器(R3)具有为选择所述MOSFET栅极电容的放电时间而选择的电阻,其中,所述dv/dt反馈电路包括第三晶体管(Q3),以便当具有选择的电阻的第四电阻器(R4)两端的足够电压出现在所述开关控制电路中时,将所述至少一些dv/dt反馈电流通过具有选择的电容的第一电容器(C1)引导到所述MOSFET(Q4,Q5)的栅极,其中所述至少一些dv/dt反馈电流改变所述MOSFET栅极电容的所述放电的变化率,以减小所述切断过渡曲线的至少初始区域的变化率,其中,所述dv/dt反馈电路(20)进一步包括与所述MOSFET(Q4,Q5)的所述栅极串联的RC网络(27),使得在所述切断过渡期间,引导所述至少一些dv/dt反馈电流通过所述RC网络(27)。
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