[发明专利]相位控制调光器电路

权利要求书

1.一种后沿相位控制调光器电路(22)，用于控制到负载的交流(AC)电力，所述电路包括：

开关电路(12)，其包括至少一个MOSFET开关装置，用于通过在导通状态下向所述负载传导电力而在关断状态下不向所述负载传导电力来控制向所述负载输送AC电力；以及

开关控制电路(24)，其用于控制在所述AC的每个周期所述开关电路(12)的切断和接通，以控制所述开关电路(12)的所述导通状态和关断状态的切换，

所述开关控制电路(24)控制所述开关电路(12)的切断包括：控制所述开关电路(12)在所述开关电路(12)的所述导通状态和所述关断状态之间的切断过渡，延伸达到所选择的切断过渡时间，

其特征在于，所述开关控制电路(24)进一步包括dv/dt反馈电路(20)，其用于通过将由所述开关电路(12)产生的至少一些dv/dt反馈电流返回到所述开关电路(12)来控制切断过渡曲线，所述切断过渡曲线指示所述切断过渡的所述开关电路(12)的漏极电压和所述选择的切断过渡时间，由此所述dv/dt反馈电路(20)被配置为控制所述切断过渡上的所述至少一些dv/dt反馈电流，以便减小所述切断过渡曲线的至少初始区域的变化率，从而使由所述开关电路(12)产生的谐波最小化，

其中，所述开关电路(12)包括两个MOSFET(Q4，Q5)，以便在所述AC的每半个周期分别控制切断和接通，以及其中所述开关控制电路(24)提供所述MOSFET(Q4，Q5)的栅极驱动控制，以控制所述MOSFET(Q4，Q5)的所述切断过渡，

其中，所述切断过渡时间与所述MOSFET(Q4，Q5)的MOSFET栅极电容的放电时间成比例，

其中，所述开关控制电路(2)包括第二晶体管(Q2)，其被配置为被拉低以使所述MOSFET栅极电容经由第三电阻器(R3)放电，所述第三电阻器(R3)具有为选择所述MOSFET栅极电容的放电时间而选择的电阻，

其中，所述dv/dt反馈电路包括第三晶体管(Q3)，以便当具有选择的电阻的第四电阻器(R4)两端的足够电压出现在所述开关控制电路中时，将所述至少一些dv/dt反馈电流通过具有选择的电容的第一电容器(C1)引导到所述MOSFET(Q4，Q5)的栅极，其中所述至少一些dv/dt反馈电流改变所述MOSFET栅极电容的所述放电的变化率，以减小所述切断过渡曲线的至少初始区域的变化率，

其中，所述dv/dt反馈电路(20)进一步包括与所述MOSFET(Q4，Q5)的所述栅极串联的RC网络(27)，使得在所述切断过渡期间，引导所述至少一些dv/dt反馈电流通过所述RC网络(27)。

2.根据权利要求1所述的后沿相位控制调光器电路(22)，其中，所述RC网络(27)包括具有选择的电容的第二电容器(C2)和具有选择的电阻的第六电阻器(R6)，使得在所述切断过渡期间随着所述MOSFET栅极电容减小，根据所述第六电阻器(R6)和所述第二电容器(C2)上的增加的电压降，所述至少一些dv/dt反馈电流初始上升。

3.根据权利要求2所述的后沿相位控制调光器电路(22)，其中，所述至少一些dv/dt反馈电流上升导致所述第三晶体管(Q3)的饱和，其随后引起施加到所述MOSFET(Q4，Q5)的所述栅极的所述至少一些dv/dt反馈电流的指数衰减。

4.根据权利要求2所述的后沿相位控制调光器电路(22)，其中，所述第六电阻器(R6)是33KΩ电阻器，并且所述第二电容器(C2)是1nF电容器。

5.根据权利要求2所述的后沿相位控制调光器电路(22)，其中，所述RC网络(27)进一步包括第五电阻器(R5)，以将所述至少一些dv/dt反馈电流的一部分转移离开所述第二电容器(C2)，从而进一步控制所述切断过渡曲线。

6.根据权利要求5所述的后沿相位控制调光器电路(22)，其中，所述第五电阻器(R5)是33KΩ电阻器。

7.一种前沿相位控制调光器电路，用于控制到负载的交流(AC)电力，所述电路包括：

开关电路(12)，其包括至少一个MOFET开关装置，用于通过在导通状态下向所述负载传导电力而在关断状态下不向所述负载传导电力来控制向所述负载输送AC电力；以及

开关控制电路(24)，其用于在所述AC的每个周期控制所述开关电路(12)的切断和接通，以控制所述开关电路(12)的所述导通状态和关断状态的切换，

其中所述开关控制电路(24)控制所述开关电路(12)的接通包括：控制所述开关电路(12)在所述开关电路(12)的所述关断状态和所述导通状态之间的接通过渡，延伸达到所选择的接通过渡时间，

其中所述开关控制电路(24)进一步包括dv/dt反馈电路(20)，其用于通过将由所述开关电路(12)产生的至少一些dv/dt反馈电流返回到所述开关电路(12)来控制接通过渡曲线，所述接通过渡曲线指示所述接通过渡的所述开关电路(12)的漏极电压和所述选择的接通过渡时间，以及

其中，所述dv/dt反馈电路(20)进一步包括与所述MOSFET(Q4，Q5)的栅极串联的RC网络(27)，使得在所述接通过渡期间，引导所述至少一些dv/dt反馈电流通过所述RC网络(27)。