[发明专利]光刻设备和制造器件的方法有效
| 申请号： | 201580038295.4 | 申请日： | 2015-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN106575085B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特;S·比林;M·恩德林斯;M·M·埃斯卡兰特;T·格鲁纳;L·维施迈尔 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司;卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王静 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 使用EUV辐射的光刻设备具有被配置用于提供科勒照射的照射器。照射器包括具有多个可独立导向的反射器的场反射镜(422)和具有多个光瞳琢面(4241‑1至4241‑M)的光瞳反射镜(424)，其中可独立导向的反射器被分成多组相邻的可独立导向的反射器、以形成虚拟场琢面(50)，光瞳琢面投影虚拟场琢面的像、以填充照射场(IS)。可独立导向的反射器被控制在非激活状态和至少一个激活状态之间，以便控制传送至衬底的剂量。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 设备 制造 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻设备，包括:具有多个可独立导向的反射器的场反射镜；具有多个光瞳琢面的光瞳反射镜；控制器，所述控制器被配置用于控制可独立导向的反射器、以将期望的剂量分布传送至衬底的目标部分；和定位器，所述定位器被配置用于在衬底被曝光的同时沿扫描方向扫描衬底,其中所述控制器进一步被配置用于将可独立导向的反射器的子组分组成虚拟场琢面，每个虚拟场琢面被配置用于照射整个照射场，所述控制器还被配置用于以第一模式和第二模式对可独立导向的反射器的所述子组进行分组，其中在所述第一模式中以第一尺寸和第一辐射强度照射第一照射场，在所述第二模式中以第二尺寸和第二辐射强度照射第二照射场，所述第一照射场的第一尺寸不同于第二照射场的第二尺寸。
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