[发明专利]具吸收剂的平面化极紫外光刻基底及其制造系统

摘要

极紫外(EUV)掩模基底制造系统包括：用于建立真空的基板操作真空腔室；位于真空中的基板操作平台，以用于搬运装载于该基板操作真空腔室中的超低膨胀基板；及可让该基板操作平台进出且用于形成EUV掩模基底的多个子腔室，该多个腔室包括：第一子腔室，该第一子腔室在超低膨胀基板上形成多层堆叠，以用于反射极紫外(EUV)光；及第二子腔室，该第二子腔室用于在该多层堆叠上形成双层式吸收剂，该双层式吸收剂用于吸收波长13.5纳米的EUV光以提供小于1.9％的反射率。

主权项

1.一种极紫外(EUV)掩模基底制造系统，所述系统包括：/n基板操作真空腔室，所述基板操作真空腔室用于产生真空；/n基板操作平台，所述基板操作平台位于所述真空中，以用于搬运超低膨胀基板，所述超低膨胀基板装载于所述基板操作真空腔室中；以及/n多个子腔室，所述多个子腔室用来形成EUV掩模基底，并且由所述基板操作平台进出所述多个子腔室，所述多个子腔室包括：/n第一子腔室，所述第一子腔室用于在所述超低膨胀基板上形成多层堆叠以用于反射极紫外(EUV)光；以及/n第二子腔室，所述第二子腔室用于在所述多层堆叠上形成双层式吸收剂，所述双层式吸收剂是用于吸收波长为13.5纳米的所述EUV光，以提供小于1.9％的反射率。/n