[发明专利]紫外光用固体受光器件有效

专利信息
申请号: 201580037174.8 申请日: 2015-05-07
公开(公告)号: CN106537613B 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 须川成利;黑田理人 申请(专利权)人: 国立大学法人东北大学
主分类号: H01L31/103 分类号: H01L31/103;H01L27/144;G01J1/02
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种紫外光用固体受光器件,能够通过简单的构造来高精度地适当地测定对人体有害的紫外光的照射量,还能够容易地与周边电路的传感器形成一体,该紫外光用固体受光器件小型/轻量且成本低,适于携带(mobile)或穿戴(wearable)。解决方案之一具备第一光电二极管(1)、第二光电二极管(2)以及差动电路,该差动电路被输入基于来自这些光电二极管的输出的各个信号,在上述光电二极管(1、2)内以及设置于各光电二极管上的半导体层区域分别设置半导体杂质的最大浓度位置,各光电二极管的受光面上设置有波长选择性不同的光透过层。
搜索关键词: 紫外光 固体 器件
【主权项】:
1.一种紫外光用固体受光器件,其特征在于,具有以硅为主要成分的半导体基体以及形成于该半导体基体内的光电二极管,该光电二极管具有层结构,该层结构为从所述基体的背面侧起具备第一导电型的第一半导体层区域、与该第一半导体层区域形成半导体结的与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层区域以及设置于该第二半导体层区域上的第一导电型的第三半导体层区域,所述第二半导体层区域中含有第二导电型的半导体杂质,由所述第二半导体层区域和所述第三半导体层区域形成半导体结,关于从所述第三半导体层区域的光的入射侧表面起的、深度方向上的所述杂质的含有浓度分布,在所述入射侧表面与能够视作不存在或实质上不存在UV‑A、UV‑B的光的吸收的深度位置之间的层区域内具有最大浓度位置,该最大浓度位置的所述杂质的浓度为至少1×1019个/cm3以上,以使电力线全部终止或实质上全部终止,该电力线是通过远紫外光的照射而产生的固定电荷所形成的电力线。
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