[发明专利]具有卤代磺酰基烷基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物有效
| 申请号： | 201580037039.3 | 申请日： | 2015-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN106662820B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 柴山亘;高濑显司;中岛诚;武田谕;若山浩之;坂本力丸 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C08G77/24 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王磊;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种在将上层抗蚀剂膜进行曝光而用碱显影液或有机溶剂进行显影时可以形成优异的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜和用于形成其的组合物。一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物或它们的组合，该水解性硅烷包含式(1)表示的水解性硅烷。[式(1)中，R |
||
| 搜索关键词： | 具有 卤代磺酰基 烷基 含硅抗蚀剂 下层 形成 组合 | ||
【主权项】：
一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物或它们的组合，该水解性硅烷包含式(1)所表示的水解性硅烷，R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) 式(1)式(1)中，R1表示式(2)所表示的有机基团，且R1通过Si‑C键与硅原子键合；R2表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，且R2通过Si‑C键与硅原子键合；R3表示烷氧基、酰氧基或卤素；a表示整数1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数；‑R4‑R5‑R6 式(2)式(2)中，R4表示可以被取代的碳原子数1～10的亚烷基，R5表示磺酰基或磺酰胺基，R6表示含卤素的有机基团。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日产化学工业株式会社，未经日产化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580037039.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
