[发明专利]用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置有效
申请号: | 201580034916.1 | 申请日: | 2015-05-19 |
公开(公告)号: | CN106688078B | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 周建华;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;陈一宏;A·B·玛里克;O·洛佩茨;N·刘 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文所公开的实施方式总体包括一种用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置。该装置包括:处理腔室;自由基源,所述自由基源被耦接到处理腔室;基板支撑件,所述基板支撑件设置在处理腔室中;以及双通道喷头,所述双通道喷头设置在自由基源与基板支撑件之间。双通道喷头包括多个管道和内部容积,所述内部容积围绕所述多个管道。多个管道和内部容积被嵌在双通道喷头中的一个或多个环形通道围绕。双通道喷头进一步包括:第一入口,所述第一入口被连接到所述一个或多个通道;以及第二入口,所述第二入口被连接到内部容积。处理腔室可以是PECVD腔室,并且该装置能够执行循环工艺(交替进行基于自由基的CVD和PECVD)。 | ||
搜索关键词: | 用于 电介质 基于 自由基 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种装置,所述装置包括双通道喷头,其中所述双通道喷头包括:第一表面;第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对并与所述第一表面间隔开以提供内部容积,其中所述双通道喷头中的一个或多个环形通道围绕所述内部容积;第一入口,所述第一入口被连接到所述一个或多个环形通道;第二入口,所述第二入口绕过所述环形通道,其中所述第二入口被连接到所述内部容积;以及多个管道,所述多个管道从所述第一表面穿过所述内部容积延伸到所述第二表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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