[发明专利]存储器裸芯的NAND闪存存储器与ReRAM之间的数据的芯片上复制在审
| 申请号： | 201580034407.9 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN106663463A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | X.胡;S.A.戈罗别茨;M.A.德阿布雷尤 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C8/16;G11C11/00;G11C13/00;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种数据存储装置，包含存储器裸芯，其中存储器裸芯包含NAND闪存存储器和电阻式随机存取存储器(ReRAM)。存储器裸芯还包含耦接到ReRAM和NAND闪存存储器的接口。接口配置为支持NAND闪存存储器与ReRAM之间的数据的芯片上复制。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 nand 闪存 reram 之间 数据 芯片 复制 | ||
【主权项】：
一种数据存储装置，包括：存储器裸芯，其包括：NAND闪存存储器；电阻式随机存取存储器(ReRAM)；以及接口，所述接口耦接到所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)和所述NAND闪存存储器，其中所述接口配置为支持数据在所述NAND闪存存储器与所述电阻式随机存取存储器(ReRAM)之间的芯片上复制。
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