[发明专利]用于铝抛光的化学机械抛光浆料组合物和方法有效
| 申请号： | 201580033196.7 | 申请日： | 2015-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN106661427B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 吕龙岱;刘文政;陈瑞清 | 申请（专利权）人： | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了化学机械抛光(CMP)组合物和方法，其适用于抛光铝表面。所述组合物包括经阴离子型聚合物涂覆且悬浮于酸性或中性pH的载剂中的氧化铝研磨剂颗粒。在一些情况下，可将抛光助剂例如硅石、羧酸、膦酸化合物或其组合添加至所述CMP组合物。与使用未经涂覆的氧化铝研磨剂的CMP方法相比，所述CMP组合物和方法改善了抛光效能并且减少了经抛光的铝表面上的表面缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抛光 化学 机械抛光 浆料 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.抛光铝表面的方法，该方法包括使用包含酸性或中性pH的水性载剂的抛光组合物研磨所述表面的步骤，所述水性载剂包含：(a)氧化铝研磨剂颗粒，其包括在所述氧化铝颗粒的表面上的阴离子型聚合物，其中，所述氧化铝研磨剂以在0.01重量％至15重量％范围内的浓度存在于所述组合物中；和(b)抛光促进剂化合物，其中所述抛光促进剂化合物为1‑羟基亚乙基‑1,1‑二膦酸，且其中所述抛光促进剂化合物的浓度在0.01重量％至5重量％范围内。
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