[发明专利]具有射频分路的静电卡盘在审
| 申请号： | 201580032435.7 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN106796909A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | J.维查特;K.维伊韦格 | 申请（专利权）人： | 瑞士艾发科技 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 周学斌,郑冀之 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 静电卡盘（ESC）展现具有平面电极的陶瓷主体，平面电极被应用为底部电极和顶部电极，底部电极和顶部电极通过穿过陶瓷主体和所述陶瓷主体的顶部上的导电层的通孔而连接。导电电流路径布置在ESC的边缘周围，从而充当在被布置于所述导电顶部层上时连接RF卡盘主体与衬底的后侧的RF分路。优选地，该RF分路被构造成ESC的边缘周围的导电环，优选材料为金属、惰性金属或者碳基导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 射频 分路 静电 卡盘 | ||
【主权项】：
一种用以布置在RF卡盘主体（2）上的静电卡盘（ESC）（1），所述ESC包括陶瓷主体（3），其具有应用为底部电极（4）和顶部电极（5）的平面电极，底部电极（4）和顶部电极（5）通过穿过陶瓷主体的通孔（6、7）而连接；应用在所述陶瓷主体（3）的顶部上的导电层（8），其特征在于，布置在ESC的边缘周围的导电电流路径充当RF分路（12），其在被布置在导电层（8）上时连接RF卡盘主体（2）与衬底（11）的后侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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