[发明专利]含有具有苯基生色团的硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物

摘要

本发明提供使用对KrF光也具有吸收的水解性硅烷的水解缩合物、用于形成能够作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)所示的水解性硅烷，该硅烷全体中硫原子相对于硅原子的比例为7摩尔％以上，本发明还是将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上并烧成而得到的抗蚀剂下层膜。式(1)中，R¹表示式(2)所示的有机基团，并且R¹通过Si‑C键与硅原子结合，R³表示烷氧基、酰氧基或卤素基，a表示整数1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。

主权项

1.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)所示的水解性硅烷，该硅烷全体中硫原子相对于硅原子的比例为7摩尔％以上，/nR¹_aR²_bSi(R³)_4-(a+b) 式(1)/n式(1)中，R¹表示式(2)所示的有机基团，并且R¹通过Si-C键与硅原子结合，/n /n式(2)中，X和Y分别表示氧原子或硫原子，但X和Y不同时表示同一种原子，R⁶表示可被取代的碳原子数1～10的烷基，R⁴表示可被取代的碳原子数1～10的亚烷基，R⁵表示可被取代的碳原子数1～10的烷基，n表示0～4的整数，/nR²表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，并且R²通过Si-C键与硅原子结合，R³表示烷氧基、酰氧基或卤素基，a表示整数1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数，/n该水解性硅烷为式(1)所示的水解性硅烷与其它水解性硅烷的组合，其它水解性硅烷为选自式(3)和式(4)中的至少1种水解性硅烷，/nR⁷_cSi(R⁸)_4-c 式(3)/n式(3)中，R⁷表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基团，并且R⁷通过Si-C键与硅原子结合，R⁸表示烷氧基、酰氧基或卤素基，c表示0～3的整数，/n /n式(4)中，R⁹表示烷基，并且R⁹通过Si-C键与硅原子结合，R¹⁰表示烷氧基、酰氧基或卤素基，Y^R表示亚烷基或亚芳基，d表示整数0或1，e表示整数0或1。/n