[发明专利]卷对卷金属衬底的硒化或硫化方法在审
申请号: | 201580030452.7 | 申请日: | 2015-06-08 |
公开(公告)号: | CN106460143A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | A·C·沃尔;J·K·金姆;E·贝科夫;S·高;江祥忠;B·D·赫克特曼 | 申请(专利权)人: | 纽升股份有限公司 |
主分类号: | C23C8/02 | 分类号: | C23C8/02;C23C8/08 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人: | 徐舒 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明披露用于加工前体材料的方法和系统。所述方法包括将衬底引入到真空腔室的第一区域中,所述衬底的表面上沉积有前体材料。所述前体材料包含铜;铟;以及镓、硒、硫、钠、锑、硼、铝和银中的至少一种。所述方法进一步包括在所述第一区域内,将所述前体材料加热到在约270℃到约490℃范围内的目标反应温度。所述方法进一步包括使硒蒸气维持在所述真空腔室的第二区域中,并且在将所述前体材料加热到所述目标反应温度后,将所述前体材料和所述衬底引入到所述真空腔室的所述第二区域中。 | ||
搜索关键词: | 金属 衬底 硫化 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,包含:将衬底引入到真空腔室的第一区域中,所述衬底的表面上沉积有前体材料,其中所述前体材料包含铜;铟;以及镓、钠、硒、硫、锑、硼、铝和银中的至少一种;在所述第一区域内,将所述前体材料加热到在约270℃到约490℃范围内的目标反应温度;使硒蒸气或硫蒸气中的一个维持在所述真空腔室的第二区域中;以及将所述前体材料加热到所述目标反应温度后,将所述前体材料和所述衬底引入到所述真空腔室的所述第二区域中。
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