[发明专利]光电子器件有效
| 申请号： | 201580030303.0 | 申请日： | 2015-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN106463581B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 胡贝特·哈尔布里特;布丽塔·格厄特茨 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/50;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种光电子器件(10)，所述光电子器件包括:‑发射辐射的半导体芯片(2)；‑转换元件(8)，所述转换元件适合于将由半导体芯片(2)发射的辐射(12)的至少一部分变换成转换的辐射(13)，其中转换的辐射(13)具有比发射的辐射(12)更大的波长；和‑至少对于转换的辐射(13)而言辐射可穿透的覆盖件(9)，所述覆盖件沿主放射方向跟随转换元件(8)，其中‑转换元件(8)包括量子点转换材料(7)；‑转换元件(8)设置在覆盖件(9)的朝向半导体芯片的内侧(15)上；并且‑覆盖件具有硅(9)或由硅构成。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 器件 | ||
【主权项】：
1.一种光电子器件(10)，所述光电子器件包括：‑发射辐射的半导体芯片(2)；‑转换元件(8)，所述转换元件适合于：将由所述半导体芯片(2)发射的辐射(12)的至少一部分变换成转换的辐射(13)，其中所述转换的辐射(13)具有比所述发射的辐射(12)更大的波长，和‑至少对于所述转换的辐射(13)而言辐射可穿透的覆盖件(9)，所述覆盖件沿主放射方向跟随所述转换元件(8)，其中‑所述转换元件(8)包括量子点转换材料(7)；‑所述转换元件(8)设置在所述覆盖件(9)的朝向所述半导体芯片的内侧(15)上；‑所述覆盖件(9)是硅薄片，并且‑所述覆盖件(9)对于所述发射的辐射(12)是吸收性的。
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