[发明专利]用于三维电路器件的导电沟道的氧化铝着陆层

摘要

存储器单元的多层级叠置体具有作为惰性HiK层的氧化铝(AlOx)层以提供蚀刻停止选择性。叠置体的每个层级包括存储器单元器件。电路包括邻近存储器单元的多层级叠置体的源极栅极选择多晶(SGS多晶)层，其中，SGS多晶层为多层级叠置体的存储器单元提供栅极选择信号。电路还包括为叠置体的层级的沟道提供源极导体的导电源极层。AlOx层被设置在源极层与SGS多晶层之间，并提供干法蚀刻选择性和湿法蚀刻选择性两者，以用于创建使存储器单元电耦合到源极层的沟道。

主权项

1.一种具有蚀刻停止层的电路器件，包括：具有导电源极层的半导体衬底，所述导电源极层为沟道提供源极导体；存储器单元的多层级叠置体，所述叠置体的每个层级包括存储器单元器件；源极栅极选择多晶(SGS多晶)层，所述源极栅极选择多晶(SGS多晶)层位于所述源极层之上并且位于所述多层级叠置体与所述源极层之间，所述SGS多晶层用于提供栅极选择信号，以便将电荷从所述源极导体传导到所述存储器单元器件；以及氧化铝(AlOx)层，所述氧化铝(AlOx)层位于所述源极层与所述SGS多晶层之间，所述AlOx层用于提供蚀刻停止层以将所述SGS多晶层与所述源极层分隔开，其中，所述AlOx层用于提供干法蚀刻选择性和湿法蚀刻选择性两者，其中，沟道蚀刻用于蚀刻穿过所述存储器单元的多层级叠置体和所述SGS多晶层，并且在所述AlOx层处停止并且不暴露出所述源极层，并且其中，选择性的栅极蚀刻用于对所述存储器单元中的栅极接触部进行蚀刻并且蚀刻穿过所述AlOx层以暴露出所述源极层。