[发明专利]具有注入及辐射通道的电阻式随机存取存储器在审
| 申请号： | 201580027848.6 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN106463340A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王士原;王士平 | 申请（专利权）人： | 王士原 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 唐京桥;李春晖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了具有提高的均匀性的电阻式RAM(RRAM)装置及相关制造方法。通过使用辐射损伤在开关层中均匀地创建增强的通道可以实现跨包括较大数目的RRAM单元的芯片上的性能的较高均匀性。根据各种描述的实施方式，辐射可以为离子、电磁光子、中性粒子、电子和超声波的形式。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 注入 辐射 通道 电阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
一种电阻式随机存取存储器装置，包括：第一电极；第二电极；以及开关区，所述开关区在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括一个或更多个迁移率增强型路径结构，所述一个或更多个迁移率增强型路径结构在所述开关区中的相应位置处延伸并且被配置成提供带电粒种的增强的迁移率并且具有随着施加在所述第一电极和所述第二电极之间的开关电压而变化的相应电阻，其中，所述迁移率增强型路径结构包括由离子注入引起的在所述开关区中的损伤，所述离子注入包括在穿过所述开关区之后沉积在所述开关区外部的离子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于王士原，未经王士原许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580027848.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
