[发明专利]用于晶片级封装的切割方法和具有适于晶片级封装的切割结构的半导体芯片

摘要

半导体衬底(1)设置有集成电路。在衬底(1)中集成电路之间形成切割沟槽(7)，在集成电路上方施加跨越沟槽(7)的聚酰亚胺层(8)，在聚酰亚胺层(8)上方施加带层(14)，并且从与带层(14)相对的衬底侧(17)去除衬底(1)的层部分，直到沟槽(7)被打开并且因此实现衬底(1)的切割为止。当带层(14)被去除时，聚酰亚胺层(8)在沟槽(7)上方的部分(18)中被切断。半导体芯片设置有在沟槽(7)附近横向限制聚酰亚胺层(8)的覆盖层(11)，特别是用于形成断裂定界(9)。

主权项

1.一种用于晶片级封装的切割方法，包括：提供具有集成电路区域(2、20)的半导体衬底(1)；在衬底(1)中所述集成电路区域(2、20)之间形成沟槽(7)；在所述集成电路区域(2、20)上方和所述沟槽(7)上方施加带层(14)；从与所述带层(14)相对的衬底侧(17)去除所述衬底(1)的层部分，直到所述沟槽(7)被打开并且因此实现所述衬底(1)的切割为止；去除所述带层(14)；在形成所述沟槽(7)之后，在施加所述带层(14)之前，在所述集成电路区域(2、20)上方和所述沟槽(7)上方施加聚酰亚胺层(8)；当所述带层(14)被去除时，所述聚酰亚胺层(8)在所述沟槽(7)上方被切断；所述集成电路区域(2、20)设置有未被所述聚酰亚胺层(8)覆盖的接触焊垫(5)；在施加所述带层(14)之前施加凸点接触(13)，每个所述凸点接触(13)与所述接触焊垫(5)中的一个接触焊垫电连接；在所述聚酰亚胺层(8)上施加导电层(10)，所述导电层(10)的部分接触所述接触焊垫(5)；在所述导电层(10)上施加覆盖层(11)，所述覆盖层(11)不覆盖所述导电层(10)的局部区域；在施加所述带层(14)之前，在所述导电层(10)的未被覆盖区域上施加凸点下金属化层(12)和所述凸点接触(13)；以及在所述覆盖层(11)上施加所述带层(14)，其中，所述聚酰亚胺层(8)在所述沟槽(7)附近设置有断裂定界(9)，其中，所述聚酰亚胺层(8)是光敏的，并且使用光刻法来形成所述断裂定界(9)。