[发明专利]CMP研磨剂及其制造方法、以及基板的研磨方法有效
| 申请号： | 201580024264.3 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN106459732B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 高桥光人 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种CMP研磨剂，包括研磨粒子、保护膜形成剂及水，所述CMP研磨剂的特征在于，所述保护膜形成剂是苯乙烯和丙烯腈的共聚物，所述共聚物的平均分子量是500以上且20000以下。据此，提供一种研磨剂及其制造方法、以及基板的研磨方法，其中，在CMP步骤中，能够在低研磨损伤的状态下研磨绝缘膜，进一步，绝缘膜相对于研磨停止膜具有高研磨选择性。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 研磨剂 及其 制造 方法 以及 研磨 | ||
【主权项】：
1.一种CMP研磨剂，包括研磨粒子、保护膜形成剂及水，所述CMP研磨剂的特征在于，所述保护膜形成剂是苯乙烯和丙烯腈的共聚物，所述共聚物的平均分子量是500以上并且20000以下，相对于100质量份的所述研磨粒子，调配有0.1质量份以上并且5质量份以下的所述苯乙烯和丙烯腈的共聚物。
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