[发明专利]集成的薄膜电阻器和MIM电容器

摘要

在所描述的示例中，一种电子器件包括具有后端电容器(122)和后端薄膜电阻器(126)的半导体结构(102)。该半导体结构(102)包括第一介电层(106)、电容器(122)的底板(134)以及薄膜电阻器主体(132)。底板(134)和电阻器主体(132)是同一薄膜层(108)的横向间隔开的部分。底板(134)还包括覆盖在薄膜层(108)上的导电层(110)。第二介电层(124)被设置在电容器(122)的底板(134)的导电层(110)上。电容器(122)的顶板(120)被设置在第二介电层(124)上。

主权项

1.一种包含半导体结构的电子器件，所述半导体结构具有：第一介电层；电阻器的电阻器主体，所述电阻器主体包括在所述第一介电层上的薄膜层的第一部分；电容器的底板，所述底板包括所述薄膜层的第二部分和覆盖所述薄膜层的所述第二部分的导电层；第二介电层，其设置在所述电容器的所述底板上；所述电容器的顶板，其设置在所述底板上方的所述第二介电层上；硬掩模层，其在所述薄膜层的所述第一部分和所述顶板上；第三介电层，其被设置在所述电容器的所述顶板上方和所述电阻器主体上方；以及被设置在所述第三介电层上的所述半导体结构的第二金属化层级。