[发明专利]Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201580018738.3 | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN106170581B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 梅本启太;张守斌 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F1/00;C22C9/00;C22C28/00;C22F1/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 朴圣洁;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的Cu‑Ga合金溅射靶是具有如下成分组成的Cu‑Ga合金溅射靶，即含有Ga：0.1～40.0原子％且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，其中，空孔率为3.0％以下，空孔的外接圆的平均直径为150μm以下，并且，Cu‑Ga合金粒子的平均晶体粒径为50μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | cu ga 合金 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Cu‑Ga合金溅射靶，作为烧结体，其具有如下成分组成：含有Ga：0.1～40.0原子％且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，其中，所述烧结体中的空孔率为3.0％以下，空孔的外接圆的平均直径为150μm以下，并且，Cu‑Ga合金粒子的平均晶体粒径为50μm以下。
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