[发明专利]用于背接触式太阳能电池的不连续发射极和基极岛在审
申请号: | 201580013722.3 | 申请日: | 2015-01-13 |
公开(公告)号: | CN106104815A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | M·M·莫斯勒希;P·卡普尔;K-J·克雷默 | 申请(专利权)人: | 索莱克赛尔公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 郝文博 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文提供了具有包括多个发射极岛的不连续发射极的背接触式太阳能电池。所述背接触式太阳能电池包括具有本底基极掺杂的半导体层,并且所述半导体层具有接收太阳光的正面和与所述接收太阳光的正面相对的背面。具有与所述半导体层本底掺杂相对的掺杂的发射极层定位在所述半导体层背面上。沟槽隔离图案将所述发射极层和所述半导体层分割成所述半导体层背面上的多个不连续发射极区。接触所述半导体层的至少一个基极岛区定位在所述半导体层背面上的所述不连续发射极区的每一个内。 | ||
搜索关键词: | 用于 接触 太阳能电池 连续 发射极 基极 | ||
【主权项】:
一种背接触式背结太阳能电池结构,其包括:具有本底基极掺杂的半导体层,所述半导体层包括接收太阳光的正面和与所述接收太阳光的正面相对的背面;所述半导体层背面上的发射极层,所述发射极层具有与所述半导体层本底掺杂相对的掺杂;沟槽隔离图案,其将所述发射极层和半导体层分割成所述半导体层背面上的多个不连续发射极区;所述半导体层背面上的所述多个不连续发射极区的每一个内的至少一个基极岛区,所述基极岛区具有接触所述半导体层的基极掺杂;所述半导体背面上的图案化钝化介电层,所述图案化钝化介电层提供接触孔开口,以便提供用于接触所述基极岛区和所述发射极层的通道;所述半导体层背面上的所述图案化钝化介电层上的图案化第一金属层(M1),所述图案化第一金属层具有经由所述接触孔开口接触所述基极岛区和所述发射极层的基极和发射极接触式金属化件;附接至所述半导体层背面的电气绝缘的连续式底板支撑层;所述电气绝缘的连续式底板支撑层上的图案化第二金属层(M2),所述图案化第二金属层具有基极和发射极金属化件;以及穿过所述电气绝缘的连续式底板支撑片形成的多个导电通孔插塞,将所述图案化第二层金属层的选择部分与所述图案化第一层金属层的选择部分互连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索莱克赛尔公司,未经索莱克赛尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580013722.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有切开式弹簧止挡部的弹簧保持板
- 下一篇:用于储存及混合材料的容器装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的