[发明专利]用于钨材料的化学机械抛光的组合物及方法有效
| 申请号： | 201580013518.1 | 申请日： | 2015-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN106104764B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 林致安;陈湛 | 申请（专利权）人： | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邢岳 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供用于抛光含钨基材的化学机械抛光(CMP)方法。随本发明方法一起使用的抛光组合物包含水性载剂、研磨剂、多氨基化合物、金属离子、螯合剂、氧化剂及任选的氨基酸。本发明方法有效地移除钨，同时减少表面缺陷，例如，典型地与钨CMP相关的凹坑。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 材料 化学 机械抛光 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.用于抛光含钨基材的化学机械抛光(CMP)方法，其包括使用CMP组合物研磨该基材的表面，该CMP组合物包括含有以下物质的水性载剂：/n(a)多氨基化合物，其中所述多氨基化合物为五亚乙基六胺；/n(b)至少一种金属离子，其选自过渡金属的离子及第IIIA/IVA族金属的离子；/n(c)螯合剂，其中该螯合剂包括至少一种选自以下的化合物：丙二酸、甲基丙二酸、乙基丙二酸、苯基丙二酸及羟基亚乙基-1,1-二膦酸，且该至少一种金属离子及该螯合剂以0.5:1至2:1的相应摩尔比存在；/n(d)颗粒状硅石研磨剂，其中该硅石研磨剂在使用点处以0.05至3重量％范围内的浓度存在于该组合物中；/n(e)氧化剂；及/n(f)任选的氨基酸。/n
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