[发明专利]氧化物烧结体、溅射用靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜在审
| 申请号： | 201580013163.6 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106103380A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/363 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和镁。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.20以上且0.45以下，以Mg/(In+Ga+Mg)原子数比计的镁的含量优选为0.0001以上且小于0.05，并且优选以1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度小于3.0×1018cm‑3、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 溅射 使用 得到 半导体 薄膜 | ||
【主权项】：
一种氧化物烧结体，其特征在于，以氧化物的形式含有铟、镓以及镁，并且，以Ga/(In+Ga)原子数比计的所述镓的含量是0.20以上且0.45以下，并且，以Mg/(In+Ga+Mg)原子数比计的所述镁的含量是0.0001以上且小于0.05，所述氧化物烧结体由方铁锰矿型结构的In2O3相以及作为In2O3相以外的生成相的β‑Ga2O3型结构的GaInO3相构成，或者由方铁锰矿型结构的In2O3相以及作为In2O3相以外的生成相的β‑Ga2O3型结构的GaInO3相与(Ga，In)2O3相构成，所述氧化物烧结体实质上不包含In(GaMg)O4相、MgGa2O4相、In2MgO4相、Ga2O3相。
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