[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法有效
申请号: | 201580013158.5 | 申请日: | 2015-02-26 |
公开(公告)号: | CN106104769B | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 近藤崇 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/31;H05H1/46 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;岳磊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的课题是能够有效地抑制所谓的倾斜现象,实现生产效率的提高和生产成本的降低。解决手段为,在该电容耦合型等离子体蚀刻装置中,在上部电极(26)的上部配置有电磁铁(32)。电磁铁(32)具有磁芯部件(34)和线圈(36、38、40、42)。磁芯部件(34)具有一体形成有柱状部(44)、多个圆筒部(46、48、50、52)和背板部(54)的构造。电磁铁驱动电路(56)在控制部(60)的控制之下,不仅能够择一地对线圈(36、38、40、42)中的任一者以任意的励磁电流通电,能够在任意的组合下同时对多个线圈以共同或者单独的任意的励磁电流通电。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其使处理气体的等离子体作用于被处理基板来实施处理,所述等离子体处理装置的特征在于,包括:以能够取出和放入的方式收纳所述被处理基板的处理容器;设置在所述处理容器内的、用于载置所述被处理基板的下部电极;设置在所述处理容器内的、与所述下部电极相对的上部电极;设置在所述下部电极的上表面的周缘区域、包围所述被处理基板的周围的环状的聚焦环;在所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力的高频电源;和在所述处理容器的上部或者上方具有以在上下方向上通过所述下部电极的中心的中心轴线为中心的一个或多个环状线圈的电磁铁,其中,通过对位于所述电磁铁的最外周的环状线圈通电而在其周围产生磁场,使形成于所述被处理基板的周缘部之上和所述聚焦环之上的离子鞘层与主等离子体的界面的坡度平坦化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580013158.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造