[发明专利]贴合式SOI晶圆的制造方法

摘要

本发明为一种贴合式SOI晶圆的制造方法，其中将硅氧化膜使用批次式热处理炉，借由进行至少含有升温中的热氧化及降温中的热氧化中的任一种的热氧化处理，使剥离后的贴合式SOI晶圆的内嵌氧化膜形成为同心圆状的氧化膜厚度分布，进一步借由于贴合晶圆剥离后的贴合式SOI晶圆进行还原性热处理，将内嵌氧化膜的膜厚度范围缩小至小于还原性热处理前的膜厚度范围。借此提供一种贴合示SOI晶圆的制造方法，能够抑制由SOI层剥离后的还原性热处理而产生的埋入氧化膜厚度的面内分布的变动。

主权项

1.一种贴合式SOI晶圆的制造方法，以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆的至少一方的晶圆表面予以透过热氧化处理而形成硅氧化膜，于该贴合晶圆的表面离子注入氢离子、稀有气体离子的至少一种气体离子而形成离子注入层，将该贴合晶圆的经离子注入的表面与该基底晶圆的表面透过该硅氧化膜贴合后，借由以该离子注入层将该贴合晶圆剥离而制造出贴合式SOI晶圆的方法，其中，将该硅氧化膜使用批次式热处理炉，借由进行至少含有升温中的热氧化及降温中的热氧化中的任一种的该热氧化处理，使剥离后的该贴合式SOI晶圆的内嵌氧化膜形成为同心圆状的氧化膜厚度分布，进一步借由于该贴合晶圆剥离后的该贴合式SOI晶圆进行使氧气自该内嵌氧化膜内的SiO₂还原而使膜厚度减少的还原性热处理，将该内嵌氧化膜的膜厚度范围缩小至小于该还原性热处理前的膜厚度范围。