[发明专利]具有经改进RDS＊CGD的LDMOS晶体管及形成所述LDMOS晶体管的方法有效
| 申请号： | 201580010177.2 | 申请日： | 2015-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN106030820B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡军 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在所描述实例中，通过以下方式来改进横向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管(100)的Rds*Cgd优值FOM：形成在若干深度(D1/D2)处具有若干掺杂剂植入物的漏极漂移区域(112)，及形成在若干深度(D3/D4/D5)处具有若干掺杂剂植入物的阶梯状背栅极区域(128)以毗连所述漏极漂移区域(112)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 rds cgd ldmos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管，其包括：半导体材料；漏极漂移区域，其位于所述半导体材料内，所述漏极漂移区域具有第一导电类型、第一深度处的第一水平掺杂剂浓度峰值及第二深度处的第二水平掺杂剂浓度峰值，所述第一深度是从所述半导体材料的顶部表面向下测量的一距离，所述第二深度是从所述第一深度向下测量的一距离；背栅极区域，其位于所述半导体材料内以触及所述漏极漂移区域，所述背栅极区域具有第二导电类型、第三深度处的第三水平掺杂剂浓度峰值、第四深度处的第四水平掺杂剂浓度峰值及第五深度处的第五水平掺杂剂浓度峰值，且在所述漏极漂移区域的下方横向延伸，所述第三深度是从所述半导体材料的所述顶部表面向下测量的一距离，所述第四深度是从所述第三深度向下测量的一距离，且所述第五深度是从所述第四深度向下测量的一距离；栅极电介质层，其触及所述半导体材料的所述顶部表面；及栅极，其触及所述栅极电介质层且位于所述栅极电介质层上方在所述漏极漂移区域及所述背栅极区域正上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德州仪器公司，未经德州仪器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580010177.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
