[发明专利]集成型半导体激光器元件以及半导体激光器模块有效
| 申请号： | 201580007841.8 | 申请日： | 2015-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN105981239B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 清田和明;小林刚 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/12;H01S5/125;H01S5/343;H01S5/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李国华 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种集成型半导体激光器元件，在基板上集成了半导体激光器和对所述半导体激光器的输出激光进行放大的半导体光放大器，所述集成型半导体激光器元件的特征在于，所述半导体激光器包括第1活性层，所述半导体光放大器包括第2活性层，所述第1活性层以及所述第2活性层具有多量子阱结构，所述第2活性层的量子阱数目比所述第1活性层的量子阱数目多。由此，能够实现输出激光的光谱线宽窄且高强度的集成型半导体激光器元件以及半导体激光器模块。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 半导体激光器 元件 以及 模块 | ||
【主权项】：
1.一种集成型半导体激光器元件，在基板上集成了半导体激光器和对所述半导体激光器的输出激光进行放大的半导体光放大器，所述集成型半导体激光器元件的特征在于，所述半导体激光器包括第1活性层，所述半导体光放大器包括第2活性层，所述第1活性层以及所述第2活性层具有多量子阱结构，所述第2活性层的量子阱数目比所述第1活性层的量子阱数目多，该集成型半导体激光器元件的输出激光的光谱线宽在300kHz以下，向所述第2活性层的陷光系数大于向所述第1活性层的陷光系数。
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