[发明专利]有源矩阵基板有效
| 申请号： | 201580007789.6 | 申请日： | 2015-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN105993077B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 富田雅裕;上田直树 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人： | 薛晓伟<国际申请>=PCT/JP2015 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 有源矩阵基板(100)具有设置有多个像素的显示区域(R1)和设置在显示区域的周围的边框区域(R2)，在边框区域设置有构成驱动电路的多个周边电路TFT(5)，多个周边电路TFT各自具有栅极电极(12)、源极电极(16)、漏极电极(18)和氧化物半导体层(14)，在多个周边电路TFT中的至少一部分周边电路TFT中，非对称地形成有源极连接区域(Rs)和漏极连接区域(Rd)，其中，源极连接区域(Rs)为氧化物半导体层与源极电极的连接区域，漏极连接区域(Rd)为氧化物半导体层与漏极电极的连接区域。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 | ||
【主权项】：
1.一种有源矩阵基板，其具有设置有多个像素的显示区域和设置在所述显示区域的外侧的边框区域，在所述边框区域设置有构成驱动电路的多个周边电路TFT，所述有源矩阵基板的特征在于：/n所述多个周边电路TFT各自具有：栅极电极；氧化物半导体层，该氧化物半导体层以在与所述栅极电极绝缘的状态下与所述栅极电极至少部分地重叠的方式配置；以及与所述氧化物半导体层连接的源极电极和漏极电极，/n所述多个周边电路TFT包含第一周边电路TFT和第二周边电路TFT，/n所述第一周边电路TFT中，非对称地形成有源极连接区域和漏极连接区域，其中，所述源极连接区域为所述氧化物半导体层与所述源极电极的连接区域，所述漏极连接区域为所述氧化物半导体层与所述漏极电极的连接区域，且所述漏极连接区域的宽度比所述源极连接区域的宽度小，/n所述第二周边电路TFT中，对称地形成有所述源极连接区域和所述漏极连接区域的周边电路TFT，/n所述第一周边电路TFT中，所述源极电极和所述漏极电极分别是横穿所述氧化物半导体层的端部而延伸的源极线和漏极线的一部分，所述氧化物半导体层的平面形状在所述源极电极侧和所述漏极电极侧为非对称。/n
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