[发明专利]制造静电夹的方法、静电夹及静电夹系统有效
| 申请号： | 201580006538.6 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN106233451B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 岱尔·K·史东;理查尔·库肯;林奕宽;朱利安·G·布雷克;留德米拉·史东 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司;安堤格里斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造静电夹的方法、一种静电夹及一种静电夹系统。在一个实施例中，一种制造静电夹的方法包含：形成绝缘体主体；在所述绝缘体主体上形成电极；以及在所述电极上沉积层堆叠，所述层堆叠包括使用原子层沉积(ALD)而沉积的氧化铝层。抗扩散层堆叠设置在静电夹的电极与将由静电夹固持的衬底之间。可在操作期间抑制金属从静电夹滤出，避免污染衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 静电 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种制造静电夹的方法，包括：形成绝缘体主体；在所述绝缘体主体上形成电极；以及在所述电极上沉积层堆叠，所述层堆叠包括使用原子层沉积(ALD)而沉积的氧化铝层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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