[发明专利]腔室涂层有效
| 申请号： | 201580006256.6 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN106104775B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 段仁官;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;周建华;N·刘;陈一宏;A·B·玛里克;S·R·恭德哈勒卡尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施例中，公开一种处理腔室，其中所述处理腔室的至少一个表面具有包含SivYwMgxAlyOz的涂层，其中v的范围从约0.0196至0.2951，w的范围从约0.0131至0.1569，x的范围从约0.0164至0.0784，y的范围从约0.0197至0.1569，z的范围从约0.5882至0.6557，并且v+w+x+y+z＝1。 | ||
| 搜索关键词： | 涂层 | ||
【主权项】：
1.一种处理腔室，其中所述处理腔室的至少一个表面具有包含SivYwMgxAlyOz的涂层，其中v的范围从0.0196至0.2951；w的范围从0.0131至0.1569；x的范围从0.0164至0.0784；y的范围从0.0197至0.1569；z的范围从0.5882至0.6557；并且v+w+x+y+z＝1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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